沟道掺杂浓度相关论文
通常认为,沟道极轻掺杂或无本底掺杂的SOIMOSFET可以忽略其随机杂质涨落效应。然而器件的源漏区总是需要重掺杂。在源漏(S/D:Sourc......
设计了一种基于N-JFET结构的恒流二极管,分析了其沟道掺杂浓度与恒流值、开启电压、击穿电压以及温度特性之间的关系。利用SILVACO......
本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上，详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温......
