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消减氧化硅相关论文
纳米线围栅MOS器件关键工艺研究
随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,当器件尺寸进入纳米尺寸时,会面临着严重的短沟道效应。围栅Si纳米......
学位
纳米线围栅MOS器件
消减氧化硅
电子束光刻
集成电路
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