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极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势
随着芯片特征尺寸的不断减小,借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈,使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商......
期刊
光学设计
极紫外光源
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液滴锡靶
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液滴锡靶激光等离子体碎屑和极紫外辐射特性研究
近年来,随着电子产品爆发式的增长,半导体产业不断追求缩小芯片刻蚀的特征尺寸以提升产品的性能,芯片生产所采用的光刻技术正面临着巨......
学位
激光等离子体
液滴锡靶
极紫外光源
离子碎屑
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芯片刻蚀
极紫外光刻
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