深度刻蚀相关论文
利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀,结果表明在不同时间过电流下的铜导体样品表面都含有Cu、O、C......
为了探索焦磷酸盐镀铜层与铁基体结合强度差的原因，采用波谱技术，分析了纵向界面各种元素的成分变化，讨论了金属基体表面粗糙度对元素......
尽管现代生物技术制造出了许多新型的合成药物，但是利用目前的给药方式（比如口服或肌肉注射），不能将这些药物有效的输入人体。透皮给药......
采用直流反应磁控溅射法制备了厚度为500nm的氧化钒薄膜。采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。结果表明......
探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常......
干膜光阻的光刻工艺因简单廉价,正在逐渐替代传统的光刻工艺.本文针对干膜光刻的贴膜、曝光和显影等工艺参数进行优化,并将其应用......
进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定,显示了铁电极进行氰化物镀铜时,镀层沉积前铁表面的电位活化过程.对铁电极上焦磷......
利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素......
