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MeV Si轰击SiO<,2>的溅射行为研究
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1~ 5MeV Si离子轰击SiO产生的Si能谱和溅射产额.发现在1~2MeV时SiO的溅射过程可以利用核溅射理论来......
会议
离子轰击
溅射产额
离子能量
飞行时间谱仪
热峰模型
离子溅射
结果比较
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