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源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟
研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的......
期刊
源区浅结
不对称SOI
MOSFET
辐照效应
shallow source
asymmetric SOI MOSFET
radiation
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