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本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
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建立了一个价带附近的界面态密度分布模型，并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特......
