氧化锌(ZnO)是直接带隙化合物半导体材料，禁带宽度为3.37eV，具有独特的电学和光学特性：作为一种重要的宽禁带光电材料，是近年来研究的......

本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射机理。阈值时受激发射峰相对于激子吸收峰的能量 差与激子束缚能接近。激发光强度在３Ｊｔｈ－４．８Ｊｔｈ之间变化时，文盲......