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GaAs的电子迁移率比si高五倍多,因此GaAs MISFET器件的工作速度更快,使用频率更高。制备高效MISFET,必须在GaAs上形成良好的绝缘......
当把正硅酸乙酯的源温控制在13℃左右时,其热分解速率大大降低,所淀积的SiO_2的致密性和对扩散杂质的掩蔽能力大大提高,可
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众所周知,金刚石非常有用,但在某些工业领域里,比如半导体工业或光学工业中,需要金刚石薄膜。到目前为止,虽很少制得真正的金刚石......
