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采用闪蒸法在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜,并在373～573 K进行1 h的真空退火处理。......
期刊
采用瞬间蒸发技术在温度为473K的玻璃基体上沉积了厚度为800nm的Ag掺杂Bi2（Te0.955Se0.05）3热电薄膜。利用X射线衍射（XRD）技术对薄膜的......
