热载流子应力相关论文
基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子......
该文应用DCIV技术研究了FN应力和热载流子(HC)应力下的可靠性问题.该文深入研究了陷阱辅助隧穿电流对DCIV技术的影响,并以此为基础......
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢......
对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ 的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝ ０．５ＶＤ 的应力条件下呈现最大．通过对......
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以......
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件......
显示技术在人类日常生活中发挥着重要的作用。多晶硅薄膜晶体管作为有源器件,因其高迁移率,易于集成驱动电路等优点,而广泛地应用......
