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热退火氧化法相关论文
β-Ga2O3纳米材料的生长与表征
β-Ga203是一种超宽禁带半导体材料(禁带宽度为4.9eV),具有很好的电学性质和光学性质,其击穿电场强度和巴利加优值比GaN和SiC更大,......
学位
β-Ga2O3纳米结构
热退火氧化法
VLS和VS机制
GaN纳米晶
自洽生长
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