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用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分......
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8~12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布......
用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线......
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有......
针对室温(293 K)条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2~9μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出......