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独立栅FinFET相关论文
一种应用于低功耗电路设计的NCFET器件设计导向
为了能够持续缩小MOSFET的工作电压,增加集成电路设计的灵活性,我们提出了一种铁电-金属-绝缘层-半导体-绝缘层(FMISI)结构的负电......
期刊
铁电体
负电容场效应管(NCFET)
独立栅FinFET
低功耗
器件优化
器件建模
独立栅NC-FinFET优化和低功耗逻辑电路设计
以载流子扩散-漂移运动为电流传输机制的CMOS/FinFET工艺器件的亚阈值摆幅有着根本性的最小值限制,即常温下不能低于60mV/dec,这就......
学位
超越CMOS
低功耗
独立栅FinFET
负电容场效应管
器件性能
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