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作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原......
作者对采用非质量分离离子柬注入沉积法（IBD）在Si（100）上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究，通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）以及原子力显微......
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算，结果表明，Ca2Si材料为直接带隙类型材料，计算值比实验测量值小．Ca2S......
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质：它具有0．80ev～0．89ev的直接带隙，对于红外波长有很高的吸收率；它掺入不同杂......
