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电化学法SnO2阳极氧化低温沉积XRD相关论文
一步法低温沉积SnO2
SnO2是n型宽带隙半导体,禁带宽度约为3.5~4eV,在可见光及近红外光区透射率约为80%,折射率约为2,消光系数趋近零。SnO2的载流子主要......
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电化学法SnO2阳极氧化低温沉积XRD
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