用电子束反应蒸发（REBE）方法在Si和白宝石衬底上低温生长了ZnO晶体薄膜.测量结果表明ZnO晶粒具有类柱状的生长特性,并且首次发现Si基......

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有......

利用电子束反应蒸发（REBE）技术、多晶ZnO（纯度99．99％）陶瓷靶为原料、在NH3／H2混合气（NH3的体积比2．71％）环境下生长了ZnO纳米结构材料，研究了衬......

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3:......