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GSMBE GaN膜的电子输运性质研究
用NH3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al2O3衬底上生长了非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm^2(V.s)、相应的非有意掺杂电子浓度为......
期刊
氮化镓
GSMBE
电子输动性质
Molecular beam epitaxy
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