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电容瞬态测试相关论文
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势......
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