电容-电压法相关论文
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用......
基于GaN材料大禁带宽度,高热导率和高饱和迁移率速度等优点构成的AlGaN/GaN HEMT器件证实在微波大功率领域有极大的应用前景,但是......
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势......
采用C-V法，根据C-2-V曲线和C-3-V曲线，并结合C-V幂律指数k，分析了T=25~-195℃温度范围内，温度变化对GaN基蓝光发光二极管pn结类型的影......
