电过应力相关论文
静电是物体间相互摩擦、接触和分离产生的。静电，人们柯以利用它。但是，如果对它缺少足够的认识和控制，就会引来许多的麻烦。微电子技......
对塑封线性集成电路进行了压力锅蒸煮后加编置的循环试验。用测量几对引出脚之间的漏电流的方法判定器件是否失效。给出了试验结果......
以某重点型号工程上失效的KG25A电路的失效模拟和失效机理验证为例,重点说明元器件的一种重要失效机理-电过应力(EOS)损伤模拟试验......
随着半导体工艺技术的飞速发展,集成电路(IC)的集成度越来越高,电过应力(EOS)对其造成的影响也越来越大。针对IC产品进行合适的EOS......
静电放电对微电子器件的危害越来越受到人们的重视。本文简介了静电的产生和抑制,介绍了人体模型、机器模型和带电器件模型及其模......
随着功率MOSFET的工作电压和电流大幅度增加、芯片尺寸的不断减小,导致功率MOSFET器件芯片的内部电场进一步增大。这些因素对功率M......
电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。......
