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随着航天事业的蓬勃发展,人们越来越认识到辐射环境中高能粒子对电子系统的瞬时辐射损伤不容忽视,辐射导致的软错误甚至永久性损伤......
为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值......
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在......
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管......
