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以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜
采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、高迁移率(~20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应......
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多晶硅薄膜
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Ⅷ法
低温制备
polycrystalline silicon thin films
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