砷化镓光阴极相关论文
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GaAs光阴极在进行Cs-O激活前,激活层表面必须达到原子级洁净。最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法。然而,在热清洗过程中对处......
主要介绍自由电子激光相干强太赫兹源（FEL-THz）装置上的砷化镓光阴极直流高压注入器的研究进展,并讨论其驱动未来高重复频率短波长自......
砷化镓(Ga As)类光阴极已经被广泛用于为电子枪提供自旋极化电子束。为满足现代电子加速器的苛刻需求,这些光阴极必须具备以下特征......
虽然砷化镓光阴极的量子效率大大优于超二代多碱光阴极,但由于三代像增强器中微通道板(Microchannel Plate,MCP)输入面上的离子阻......
简要说明了三代像增强器的特点,分析了微通道板的离子反馈形成机理,给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法,即一种是减少......
砷化镓光阴极的量子效率大大优于超二代多碱光阴极,但由于微通道板(MCP)输入面上的离子阻挡膜的存在,第三代像增强器,即使是薄膜第......
基于负电子亲和势GaAs光阴极直流高压注入器,设计并搭建了国内首套光阴极量子效率分布测量系统。该系统利用单透镜实现逐点扫描,并......
受未来高平均功率自由电子激光和能量回收型加速器等大型科研装置的推动,高亮度电子源成为国内外研究的热点,用于产生稳定的低发射......
作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一，负电子亲和势砷化镓（NEA-GaAs）光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热......
