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硅化诱发杂质分凝技术相关论文
杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用......
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肖特基势垒高度
NiSi/n-Si肖特基二极管
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