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硅图形衬底相关论文

Si图形衬底上半极性、非极性GaN的MOCVD生长及性能研究

GaN作为典型的Ⅲ族氮化物半导体材料，具有宽直接带隙、高电子迁移率、高热导率、耐高压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等特点，在微电子和......

学位

氮化镓硅图形衬底 MOCVD系统生长过程制备工艺

Si衬底GaN基纳米线异质结的可控制备与光学性能研究

由于量子尺寸效应的存在，使一维纳米材料出现能级分立、电导量子化、弹道输运等诸多新颖的现象，进而在宏观上呈现出独特的电学、光学......

学位

硅图形衬底纳米线异质结透射电镜拉曼光谱光学性能可控制备

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