硅微米晶须相关论文
分别研究了环境压力、气体流量、载气种类、沉积温度和外加电场对硅纳米线及硫化镉晶须生长的影响.获得主要结果如下:1)环境压力为......
用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下......
利用物理热蒸发法在1 016～1 066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须.借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX......
