利用俄歇电子能谱，二次离子质谱等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区，根据多晶硅薄膜的成核......