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当前制约硅基薄膜电池发展的主要障碍是其较低的光电转换效率,因此在硅基薄膜电池中有效运用陷光设计是目前的研究重点。本文......
利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,......
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,利用二氧化碳(CO2)、氢气(H2)、硅烷(SiH4)和乙硼烷(B2H6)作为气源,制备出一系列p型氢化硅氧薄膜.......