系统分析了利用超高真空ＣＶＤ技术在Ｓｉ衬底上外延Ｓｉ－ｘＧｅｘ合金的体内组分分布情况和Ｇｅ的表面偏析现象。用ＳＩＭＳ对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析。在生长过程中，组分......