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碳化硅双极晶体管相关论文
4H-SiC BJT的Early电压分析
通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的......
期刊
碳化硅双极晶体管
Early电压
共射极电流增益
温度
SiC BJT
Early voltage
common-emitter current gain
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