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碳化钛晶须生长相关论文
沉积温度对TiC晶须生长的影响
用CVD做了沉积温度对TiC晶须生长影响的实验。在纯Ni基板上,用TiCl4-CH4-H2-Ar混合气氛,1220 ̄1370K较低温度下获得高产率的TiC晶须。在实际上做了TiC晶须的形貌的检测,并确认了......
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碳化钛晶须生长
沉积温度
CVD
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