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碳相关缺陷相关论文
SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究
采用从头计算(abinitio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质。在Si1-xGex合金中,Ge原子不能......
期刊
Si1-xGex合金
从头计算法
W缺陷
碳相关缺陷
Si1-xGex alloy ab initio method W defect carbon-relat
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