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碳硅镓化合物相关论文
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢......
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<Keyword>SiCGe hot
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