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磨粒约束相关论文
单晶SiC集群磁流变研磨加工工艺实验研究
SiC作为第3代半导体材料,与Si、GaAs相比,具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,非常适于制作高温、高......
学位
单晶SiC
集群磁流变研磨
工艺
材料去除率
磨粒约束
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