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P型Cu-Ga(In)-Te基半导体材料的结构及热电性能研究
CuMTe2(M=In,Ga)是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2系列黄铜矿结构直接带隙半导体材料,带隙宽度分别为Eg=1.24eV(CuGaTe2)和Eg=1.06eV(CuInTe2)。......
学位
CuGaTe2
黄铜矿结构
热电性能
等电子或非等电子元素替换
能带结构
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