在红外区熔再结晶ＳＯＩ材料上用ＭＢＥ的方法形成了Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ量子阱结构，在此基础上，采用常规的Ｐ－ＭＯＳ工艺制造出了ＳＯＩ ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金沟道载流子迁移率有所提高。......