纳米非晶硅相关论文
本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pi......
该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用......
采用量子限制效应模型对镶嵌有纳米非晶硅粒子的氢化氮化硅薄膜的光吸收进行了理论模拟，探讨了由吸收谱分析给出该结构薄膜光学参数......
文章报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用......
本文通过等离子体增强化学气相沉积（PFCVD）法沉积p型纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统地研究了掺杂气体比（B2H6/SiH4）、沉积温度、射频电源功......
该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用......
掺杂纳米非晶硅薄膜在电学、光学和稳定性方面优于传统非晶硅和微晶硅薄膜。特别是作为液晶光阀的光敏层,它不仅有很高的吸收系数......
