纳米SiC掺杂相关论文
利用放电等离子(SPS)方法通过优化工艺制备了纳米SiC掺杂的MgB2块材,发现SPS技术实现了块材的快速致密化烧结,烧结的块材实际密度......
采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800℃时在流通高......
二硼化镁是迄今为止所发现的超导临界转变温度最高的非铜氧化物超导材料,它具有无弱连接、成本低廉、能够在20K~30K应用等优势,但是......
MgB2是一种具有39K临界转变温度的新型超导材料。与高温超导材料相比,它不存在弱连接,易于制备高传输电流密度的线带材;与低温超导......
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10-30 nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合......
采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800℃时在流通高......