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采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内......
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象，建立了CCD纵向抗晕结构模型，运用半导体器件数值模拟软件MEDICI，列建立的纵向......
分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进......
建立了电荷耦合器件（CCD）纵向抗晕结构模型，运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算，并详......
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