该文研究了细沟道ｎ－ＭＯＳＦＥＴ器件的随机电报信号噪声（ＲＴＳ）的特征。首次室温下观测到了大幅度（大于６０℅）的ＲＴＳ，发现当器件工作在弱反型区时，ＲＴＳ幅度基本与栅压无......