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缺陷浓度与分布相关论文
点缺陷诱发1H-MoS2反常力学特性分子动力学模拟探究
具有半导体特性的单层二硫化钼(1H-MoS2)以其卓越的物理化学性能,成为了纳光电子器件领域里备受推崇的应用材料之一。然而,目前针......
学位
单层二硫化钼
点缺陷
刚度强化
分子动力学模拟
缺陷浓度与分布
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