AlGaN 半导体材料的帯隙宽度可以从3.4eV 到6.2eV 连续可调，覆盖了从365 nm 到200 nm 的紫外波段，是制备紫外短波长发光和探测器件不......

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射......

制备了与A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构，测量了器件的变温电流一电压特性，研究其在正向与反......

针对削弱暗计数噪声对单光子雪崩二极管(single-photon avalanche diode,SPAD)探测器的影响,本文研究了采用多晶硅场板降低SPAD器......