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P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用......
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横向双扩散金属氧化物场效应晶体管
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silicon LDMOS pulse backside source field plate
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