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基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应......
当前,科技的发展和环境问题迫使人们开发满足小型化、轻量化、安全化和集成化的环境友好型储能材料。电介质电容器作为一类优异的......
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