在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的AlGaN／GaNHEMT半经验直流特性模型，考虑了栅源电压对膝点电压的影响，得到描述AlGaN／GaNHEMT器件I-V......

考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子......

在许多电子设备的使用中,均需要外部系统提供稳定的电流,这种能够为负载提供恒定电流的装置被称为恒流源。作为恒流源的一个分支,......

InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有优异的电子迁移率、噪声、增益和功率特性,成为最具竞争力的高频半导体器件之一,广泛应用于国......

InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有电子迁移率高、噪声系数低、功耗低及功率增益高等特点,广泛用于毫米波单片集成电路设计中,在国......