自由支撑相关论文
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝（AlN）缓冲层后的自......
原子级厚度的过渡金属硫化物(TMDC)二维层状材料具有独特的电子和光学性质,特别是由其构筑出的异质结,可以产生新的光电性质和物理......
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层......
采用直流磁控溅射方法在硅油基底上沉积出具有自由支撑边界条件的金属银薄膜系统,研究了银薄膜在大气环境中的表面形貌演化规律及......
目前硅衬底Ga N基LED外延薄膜缓减张应力和防止裂纹的方法主要有两种:其一为使用图形硅衬底,其二为生长较厚的铝镓氮缓冲层,这两种......
