使用除氢，高温成核和低温生长三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜，该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＾＋激光的激发下......