采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品......

对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势......