表面坑相关论文
研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模......
研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型......
研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ／Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑，并提出了一个有关质量疏运机制的模型......
某车型后车门前部上端压合边缘存在表面坑的质量缺陷，白车身AUDIT评审等级为B类项，漆后整车评审无变化，经过多轮试验，单纯采用常规方法......
